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APO 322523NV-470M

APO 322523NV-470M

TAI-TECH

1210 (3225 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil APO 322523NV-470M von TAI-TECH. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 47 µH, Nennstrom 500 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 900mOhm Max, Gehäusegröße 1210 (3225 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
47 µH
Nennstrom
500 mA
DC-Widerstand (DCR)
900mOhm Max
Abmessungen
0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für APO 322523NV-470M.

Induktivität
47 µH

APO 322523NV-470M hat eine Induktivität von 47 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
500 mA

APO 322523NV-470M ist für 500 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
900mOhm Max

APO 322523NV-470M hat einen DC-Widerstand von 900mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1210 (3225 Metric)

APO 322523NV-470M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 21.6.2026
Induktivität47 µH
Toleranz±20%
Nennstrom500 mA
DC-Widerstand (DCR)900mOhm Max
Sättigungsstrom300mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C
Abmessungen0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Gehäuse / Größe1210 (3225 Metric)
Gehäuse / Ausführung1210 (3225 Metric)
LieferantTAI-TECH
BeschreibungFIXED IND 47UH 500MA 900 MOHM
SerieAPO322523NV
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Eigenresonanzfrequenz30MHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1210
Höhe - sitzend (max.)0.098" (2.50mm)

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