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APSD00030321330M00

APSD00030321330M00

Pulse Electronics

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 33UH 800 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
33 µH
Nennstrom
-
DC-Widerstand (DCR)
800mOhm Max
Abmessungen
0.130" L x 0.118" W (3.30mm x 3.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für APSD00030321330M00.

Induktivität
33 µH

APSD00030321330M00 hat eine Induktivität von 33 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
-

APSD00030321330M00 ist für - ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
800mOhm Max

APSD00030321330M00 hat einen DC-Widerstand von 800mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

APSD00030321330M00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 18.6.2026
Induktivität33 µH
Toleranz±20%
Nennstrom-
DC-Widerstand (DCR)800mOhm Max
Sättigungsstrom400mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.130" L x 0.118" W (3.30mm x 3.00mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 33UH 800 MOHM SMD
SerieAPSD
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz2.52 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.094" (2.40mm)
Merkmale-

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