Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil AS0612N3GTR von KYOCERA AVX. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 12.3 nH, Nennstrom 2.9 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 8mOhm Max, Gehäusegröße 0806 (2016 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für AS0612N3GTR.
AS0612N3GTR hat eine Induktivität von 12.3 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
AS0612N3GTR ist für 2.9 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
AS0612N3GTR hat einen DC-Widerstand von 8mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
AS0612N3GTR verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0806 (2016 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 12.3 nH |
| Toleranz | ±2% |
| Nennstrom | 2.9 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 8mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.076 L x 0.072 W (1.93mm x 1.83mm) |
| Gehäuse / Größe | 0806 (2016 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0806 (2016 Metric) |
| Lieferant | KYOCERA AVX |
| Beschreibung | FIXED IND 12.3NH 2.9A 8 MOHM SMD |
| Serie | AS |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Air |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 90 @ 400MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 4.8GHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 400 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 0806 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.059 (1.50mm) |
