Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil AS0812N1JTR von KYOCERA AVX. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 12.1 nH, Nennstrom 4.4 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 7mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für AS0812N1JTR.
AS0812N1JTR hat eine Induktivität von 12.1 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
AS0812N1JTR ist für 4.4 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
AS0812N1JTR hat einen DC-Widerstand von 7mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
AS0812N1JTR verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 12.1 nH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 4.4 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 7mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.073 L x 0.084 W (1.85mm x 2.13mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | KYOCERA AVX |
| Beschreibung | FIXED IND 12.1NH 4.4A 7 MOHM SMD |
| Serie | AS |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Air |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 130 @ 400MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 4.3GHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 400 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.078 (1.98mm) |
