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ASCH001608088N2J00

ASCH001608088N2J00

Pulse Electronics

0603 (1608 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil ASCH001608088N2J00 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 8.2 nH, Nennstrom 600 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 240mOhm Max, Gehäusegröße 0603 (1608 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
8.2 nH
Nennstrom
600 mA
DC-Widerstand (DCR)
240mOhm Max
Abmessungen
0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für ASCH001608088N2J00.

Induktivität
8.2 nH

ASCH001608088N2J00 hat eine Induktivität von 8.2 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
600 mA

ASCH001608088N2J00 ist für 600 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
240mOhm Max

ASCH001608088N2J00 hat einen DC-Widerstand von 240mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0603 (1608 Metric)

ASCH001608088N2J00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0603 (1608 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität8.2 nH
Toleranz±5%
Nennstrom600 mA
DC-Widerstand (DCR)240mOhm Max
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Gehäuse / Größe0603 (1608 Metric)
Gehäuse / Ausführung0603 (1608 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 8.2NH 600MA 240 MOHM
SerieASCH
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialCeramic
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz10 @ 100MHz
Eigenresonanzfrequenz3.3GHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz100 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0603
Höhe - sitzend (max.)0.037" (0.95mm)

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