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MGTC0603C8N2_ST

MGTC0603C8N2_ST

Microgate Technology

0603 (1608 Metric)
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MGTC0603C8N2_ST von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 8.2 nH, Nennstrom 700 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 95mOhm Max, Gehäusegröße 0603 (1608 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
8.2 nH
Nennstrom
700 mA
DC-Widerstand (DCR)
95mOhm Max
Abmessungen
0.067 L x 0.043 W (1.70mm x 1.10mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MGTC0603C8N2_ST.

Induktivität
8.2 nH

MGTC0603C8N2_ST hat eine Induktivität von 8.2 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
700 mA

MGTC0603C8N2_ST ist für 700 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
95mOhm Max

MGTC0603C8N2_ST hat einen DC-Widerstand von 95mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0603 (1608 Metric)

MGTC0603C8N2_ST verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0603 (1608 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.8.2026
Induktivität8.2 nH
Nennstrom700 mA
DC-Widerstand (DCR)95mOhm Max
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.067 L x 0.043 W (1.70mm x 1.10mm)
Gehäuse / Größe0603 (1608 Metric)
Gehäuse / Ausführung0603 (1608 Metric)
LieferantMicrogate Technology
BeschreibungFIXED IND 8.2 NH 700 MA 0.095 OH
SerieMGTC0603C
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz31 @ 250MHz
Eigenresonanzfrequenz6GHz
Induktivitäts-Testfrequenz250 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0603
Höhe - sitzend (max.)0.039 (1.00mm)

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