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ASPI-3012S-1R0N-T

ASPI-3012S-1R0N-T

Abracon

1212 (3030 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 1UH 2.2A 40 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
1 µH
Nennstrom
2.2 A
DC-Widerstand (DCR)
40mOhm
Abmessungen
0.117" L x 0.117" W (3.00mm x 3.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für ASPI-3012S-1R0N-T.

Induktivität
1 µH

ASPI-3012S-1R0N-T hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
2.2 A

ASPI-3012S-1R0N-T ist für 2.2 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
40mOhm

ASPI-3012S-1R0N-T hat einen DC-Widerstand von 40mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1212 (3030 Metric)

ASPI-3012S-1R0N-T verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1212 (3030 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 22.6.2026
Induktivität1 µH
Toleranz±30%
Nennstrom2.2 A
DC-Widerstand (DCR)40mOhm
Sättigungsstrom1.87A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.117" L x 0.117" W (3.00mm x 3.00mm)
Gehäuse / Größe1212 (3030 Metric)
Gehäuse / Ausführung1212 (3030 Metric)
LieferantAbracon
BeschreibungFIXED IND 1UH 2.2A 40 MOHM SMD
SerieASPI-3012S
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz120MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1212
Höhe - sitzend (max.)0.047" (1.20mm)
Merkmale-

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