Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil HPC 3015TF-1R0M von TAI-TECH. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1 µH, Nennstrom 2.2 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 260mOhm, Gehäusegröße 1212 (3030 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für HPC 3015TF-1R0M.
HPC 3015TF-1R0M hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
HPC 3015TF-1R0M ist für 2.2 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
HPC 3015TF-1R0M hat einen DC-Widerstand von 260mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
HPC 3015TF-1R0M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1212 (3030 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 2.2 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 260mOhm |
| Sättigungsstrom | 2.2A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm) |
| Gehäuse / Größe | 1212 (3030 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 1212 (3030 Metric) |
| Lieferant | TAI-TECH |
| Beschreibung | FIXED IND 1UH 2.2A 260 MOHM SMD |
| Serie | HPC3015TF |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Abschirmung | Shielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 1212 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.059" (1.50mm) |
