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ASPI-U201610-1R0M-T

ASPI-U201610-1R0M-T

Abracon

Nonstandard, 2 Lead
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Beschreibung

FIXED IND 1UH SURFACE MOUNT

Technische Daten

Induktivität
1 µH
Nennstrom
-
DC-Widerstand (DCR)
-
Abmessungen
0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für ASPI-U201610-1R0M-T.

Induktivität
1 µH

ASPI-U201610-1R0M-T hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
-

ASPI-U201610-1R0M-T ist für - ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
-

ASPI-U201610-1R0M-T hat einen DC-Widerstand von -. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard, 2 Lead

ASPI-U201610-1R0M-T verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard, 2 Lead. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 22.6.2026
Induktivität1 µH
Toleranz±20%
Nennstrom-
DC-Widerstand (DCR)-
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-
Abmessungen0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard, 2 Lead
Gehäuse / AusführungNonstandard, 2 Lead
LieferantAbracon
BeschreibungFIXED IND 1UH SURFACE MOUNT
SerieASPI-U
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.039" (1.00mm)
Merkmale-

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