Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil NLFV25T-1R0M-EF von TDK. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1 µH, Nennstrom 455 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 80mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard, 2 Lead. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für NLFV25T-1R0M-EF.
NLFV25T-1R0M-EF hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
NLFV25T-1R0M-EF ist für 455 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
NLFV25T-1R0M-EF hat einen DC-Widerstand von 80mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
NLFV25T-1R0M-EF verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard, 2 Lead. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 455 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 80mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C |
| Abmessungen | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard, 2 Lead |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard, 2 Lead |
| Lieferant | TDK |
| Beschreibung | FIXED IND 1UH 455MA 80 MOHM SMD |
| Serie | NLFV |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Drum Core, Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Shielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 100MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 7.96 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.075" (1.90mm) |
