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ASPI-U252010-1R0M-T

ASPI-U252010-1R0M-T

Abracon

Nonstandard, 2 Lead
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil ASPI-U252010-1R0M-T von Abracon. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1 µH, Gehäusegröße Nonstandard, 2 Lead. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
1 µH
Abmessungen
0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für ASPI-U252010-1R0M-T.

Induktivität
1 µH

ASPI-U252010-1R0M-T hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard, 2 Lead

ASPI-U252010-1R0M-T verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard, 2 Lead. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 22.6.2026
Induktivität1 µH
Abmessungen0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard, 2 Lead
Gehäuse / AusführungNonstandard, 2 Lead
LieferantAbracon
BeschreibungFIXED IND 1UH SURFACE MOUNT
SerieASPI-U
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
AbschirmungUnshielded
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Höhe - sitzend (max.)0.039" (1.00mm)

Vorschau