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AWCS0037282282NK00

AWCS0037282282NK00

Pulse Electronics

1210 (3225 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil AWCS0037282282NK00 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 82 nH, Nennstrom 900 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 210mOhm Max, Gehäusegröße 1210 (3225 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
82 nH
Nennstrom
900 mA
DC-Widerstand (DCR)
210mOhm Max
Abmessungen
0.146" L x 0.110" W (3.70mm x 2.80mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für AWCS0037282282NK00.

Induktivität
82 nH

AWCS0037282282NK00 hat eine Induktivität von 82 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
900 mA

AWCS0037282282NK00 ist für 900 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
210mOhm Max

AWCS0037282282NK00 hat einen DC-Widerstand von 210mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1210 (3225 Metric)

AWCS0037282282NK00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität82 nH
Toleranz±10%
Nennstrom900 mA
DC-Widerstand (DCR)210mOhm Max
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.146" L x 0.110" W (3.70mm x 2.80mm)
Gehäuse / Größe1210 (3225 Metric)
Gehäuse / Ausführung1210 (3225 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 82NH 900MA 210 MOHM
SerieAWCS
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz55 @ 300MHz
Eigenresonanzfrequenz1.2GHz
Induktivitäts-Testfrequenz100 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1210
Höhe - sitzend (max.)0.087" (2.20mm)

Vorschau