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AWVF00303010100M00

AWVF00303010100M00

Pulse Electronics

1212 (3030 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 10UH 630MA 430 MOHM

Technische Daten

Induktivität
10 µH
Nennstrom
630 mA
DC-Widerstand (DCR)
430mOhm
Abmessungen
0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für AWVF00303010100M00.

Induktivität
10 µH

AWVF00303010100M00 hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
630 mA

AWVF00303010100M00 ist für 630 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
430mOhm

AWVF00303010100M00 hat einen DC-Widerstand von 430mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1212 (3030 Metric)

AWVF00303010100M00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1212 (3030 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität10 µH
Toleranz±20%
Nennstrom630 mA
DC-Widerstand (DCR)430mOhm
Sättigungsstrom640mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm)
Gehäuse / Größe1212 (3030 Metric)
Gehäuse / Ausführung1212 (3030 Metric)
LieferantWEC,Pulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 10UH 630MA 430 MOHM
SerieAWVF
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
KernmaterialFerrite
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1212
Höhe - sitzend (max.)0.040" (1.02mm)
Merkmale-

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