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HPC 3010TF-100M

HPC 3010TF-100M

TAI-TECH

1212 (3030 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 10UH 1A 350 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
10 µH
Nennstrom
1 A
DC-Widerstand (DCR)
350mOhm
Abmessungen
0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für HPC 3010TF-100M.

Induktivität
10 µH

HPC 3010TF-100M hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1 A

HPC 3010TF-100M ist für 1 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
350mOhm

HPC 3010TF-100M hat einen DC-Widerstand von 350mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1212 (3030 Metric)

HPC 3010TF-100M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1212 (3030 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 21.6.2026
Induktivität10 µH
Toleranz±20%
Nennstrom1 A
DC-Widerstand (DCR)350mOhm
Sättigungsstrom750mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm)
Gehäuse / Größe1212 (3030 Metric)
Gehäuse / Ausführung1212 (3030 Metric)
LieferantTAI-TECH
BeschreibungFIXED IND 10UH 1A 350 MOHM SMD
SerieHPC3010TF
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1212
Höhe - sitzend (max.)0.039" (1.00mm)
Merkmale-

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