AWVH002016101R0TH1
Pulse Electronics
Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil AWVH002016101R0TH1 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1 µH, Nennstrom 1.2 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 110mOhm, Gehäusegröße 0806 (2016 Metric). Prüfen Sie die verfügbaren Spezifikationen und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für AWVH002016101R0TH1.
AWVH002016101R0TH1 hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
AWVH002016101R0TH1 ist für 1.2 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
AWVH002016101R0TH1 hat einen DC-Widerstand von 110mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
AWVH002016101R0TH1 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0806 (2016 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1 µH |
| Toleranz | ±30% |
| Nennstrom | 1.2 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 110mOhm |
| Sättigungsstrom | 2A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
| Gehäuse / Größe | 0806 (2016 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0806 (2016 Metric) |
| Lieferant | Pulse Electronics |
| Beschreibung | FIXED IND 1UH 1.2A 110 MOHM SMD |
| Serie | AWVH |
| Produktstatus | Active |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Shielded |
| Zulassungen / Bewertungen | AEC-Q200 |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 0806 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.040" (1.02mm) |
