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AWVS008080402R2ML1

AWVS008080402R2ML1

Pulse Electronics

3131 (8080 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 2.2UH 6.4A 12 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
2.2 µH
Nennstrom
6.4 A
DC-Widerstand (DCR)
12mOhm
Abmessungen
0.315" L x 0.315" W (8.00mm x 8.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für AWVS008080402R2ML1.

Induktivität
2.2 µH

AWVS008080402R2ML1 hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
6.4 A

AWVS008080402R2ML1 ist für 6.4 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
12mOhm

AWVS008080402R2ML1 hat einen DC-Widerstand von 12mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
3131 (8080 Metric)

AWVS008080402R2ML1 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 3131 (8080 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 18.6.2026
Induktivität2.2 µH
Toleranz±20%
Nennstrom6.4 A
DC-Widerstand (DCR)12mOhm
Sättigungsstrom6.3A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.315" L x 0.315" W (8.00mm x 8.00mm)
Gehäuse / Größe3131 (8080 Metric)
Gehäuse / Ausführung3131 (8080 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 2.2UH 6.4A 12 MOHM SMD
SerieAWVS
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
KernmaterialFerrite
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse3131
Höhe - sitzend (max.)0.165" (4.20mm)
Merkmale-

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