Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil HPC 8040NV-2R2M von TAI-TECH. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2 µH, Nennstrom 6.9 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 11.5mOhm, Gehäusegröße 3131 (8080 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für HPC 8040NV-2R2M.
HPC 8040NV-2R2M hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
HPC 8040NV-2R2M ist für 6.9 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
HPC 8040NV-2R2M hat einen DC-Widerstand von 11.5mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
HPC 8040NV-2R2M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 3131 (8080 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.2 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 6.9 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 11.5mOhm |
| Sättigungsstrom | 9.2A |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.315" L x 0.315" W (8.00mm x 8.00mm) |
| Gehäuse / Größe | 3131 (8080 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 3131 (8080 Metric) |
| Lieferant | TAI-TECH |
| Beschreibung | FIXED IND 2.2UH 6.9A 11.5 MOHM |
| Serie | HPC-BMV/NV |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Shielded |
| Zulassungen / Bewertungen | AEC-Q200 |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 8040 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.157" (4.00mm) |
