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AWVT003030103R3T00

AWVT003030103R3T00

Pulse Electronics

1212 (3030 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 3.3UH 990MA 165 MOHM

Technische Daten

Induktivität
3.3 µH
Nennstrom
990 mA
DC-Widerstand (DCR)
165mOhm
Abmessungen
0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für AWVT003030103R3T00.

Induktivität
3.3 µH

AWVT003030103R3T00 hat eine Induktivität von 3.3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
990 mA

AWVT003030103R3T00 ist für 990 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
165mOhm

AWVT003030103R3T00 hat einen DC-Widerstand von 165mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1212 (3030 Metric)

AWVT003030103R3T00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1212 (3030 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität3.3 µH
Toleranz±30%
Nennstrom990 mA
DC-Widerstand (DCR)165mOhm
Sättigungsstrom1A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm)
Gehäuse / Größe1212 (3030 Metric)
Gehäuse / Ausführung1212 (3030 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 3.3UH 990MA 165 MOHM
SerieAWVT
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1212
Höhe - sitzend (max.)0.040" (1.02mm)
Merkmale-

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