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CTLV3015SF-3R3M

CTLV3015SF-3R3M

Central Technologies

1212 (3030 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 3.3UH 1.62A 125 MOHM

Technische Daten

Induktivität
3.3 µH
Nennstrom
1.62 A
DC-Widerstand (DCR)
125mOhm
Abmessungen
0.118 L x 0.118 W (3.00mm x 3.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTLV3015SF-3R3M.

Induktivität
3.3 µH

CTLV3015SF-3R3M hat eine Induktivität von 3.3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.62 A

CTLV3015SF-3R3M ist für 1.62 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
125mOhm

CTLV3015SF-3R3M hat einen DC-Widerstand von 125mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1212 (3030 Metric)

CTLV3015SF-3R3M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1212 (3030 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität3.3 µH
Toleranz±20%
Nennstrom1.62 A
DC-Widerstand (DCR)125mOhm
Sättigungsstrom1.71A
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.118 L x 0.118 W (3.00mm x 3.00mm)
Gehäuse / Größe1212 (3030 Metric)
Gehäuse / Ausführung1212 (3030 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 3.3UH 1.62A 125 MOHM
SerieCTLV3015SF
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1212
Höhe - sitzend (max.)0.059 (1.50mm)
Merkmale-

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