Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil BEBE00201210R33MMS von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 330 nH, Nennstrom 4.7 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 20mOhm Max, Gehäusegröße 0805 (2012 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BEBE00201210R33MMS.
BEBE00201210R33MMS hat eine Induktivität von 330 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
BEBE00201210R33MMS ist für 4.7 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
BEBE00201210R33MMS hat einen DC-Widerstand von 20mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
BEBE00201210R33MMS verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 330 nH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 4.7 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 20mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 6A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm) |
| Gehäuse / Größe | 0805 (2012 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0805 (2012 Metric) |
| Lieferant | Pulse Electronics |
| Beschreibung | FIXED IND 330NH 4.7A 20 MOHM SMD |
| Serie | BEBE |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Molded |
| Abschirmung | Shielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 0805 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.031" (0.80mm) |
