Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil BMMN000505181R0MX1 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1 µH, Nennstrom 7.5 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 18mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BMMN000505181R0MX1.
BMMN000505181R0MX1 hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
BMMN000505181R0MX1 ist für 7.5 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
BMMN000505181R0MX1 hat einen DC-Widerstand von 18mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
BMMN000505181R0MX1 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 7.5 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 18mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 8.6A |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.216" L x 0.204" W (5.49mm x 5.18mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Pulse Electronics |
| Beschreibung | FIXED IND 1UH 7.5A 18 MOHM SMD |
| Serie | BMMN |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Molded |
| Abschirmung | Shielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.071" (1.80mm) |
