Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil BMMN000505186R8MX2 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 6.8 µH, Nennstrom 2.8 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 120mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BMMN000505186R8MX2.
BMMN000505186R8MX2 hat eine Induktivität von 6.8 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
BMMN000505186R8MX2 ist für 2.8 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
BMMN000505186R8MX2 hat einen DC-Widerstand von 120mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
BMMN000505186R8MX2 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 6.8 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 2.8 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 120mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 3.4A |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.216" L x 0.204" W (5.49mm x 5.18mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Pulse Electronics |
| Beschreibung | FIXED IND 6.8UH 2.8A 120 MOHM |
| Serie | BMMN |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Molded |
| Abschirmung | Shielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.071" (1.80mm) |
