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BPXX000505203R3T00

BPXX000505203R3T00

Pulse Electronics

2020 (5050 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 3.3UH 2.5A 65 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
3.3 µH
Nennstrom
2.5 A
DC-Widerstand (DCR)
65mOhm Max
Abmessungen
0.197" L x 0.197" W (5.00mm x 5.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BPXX000505203R3T00.

Induktivität
3.3 µH

BPXX000505203R3T00 hat eine Induktivität von 3.3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
2.5 A

BPXX000505203R3T00 ist für 2.5 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
65mOhm Max

BPXX000505203R3T00 hat einen DC-Widerstand von 65mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2020 (5050 Metric)

BPXX000505203R3T00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2020 (5050 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 18.6.2026
Induktivität3.3 µH
Toleranz±30%
Nennstrom2.5 A
DC-Widerstand (DCR)65mOhm Max
Sättigungsstrom2.4A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.197" L x 0.197" W (5.00mm x 5.00mm)
Gehäuse / Größe2020 (5050 Metric)
Gehäuse / Ausführung2020 (5050 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 3.3UH 2.5A 65 MOHM SMD
SerieBPXX
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse2020
Höhe - sitzend (max.)0.079" (2.00mm)
Merkmale-

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