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LMXHF5050WBT3R3NMR

LMXHF5050WBT3R3NMR

Taiyo Yuden

2020 (5050 Metric)
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LMXHF5050WBT3R3NMR von Taiyo Yuden. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3.3 µH, Nennstrom 3.1 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 49mOhm Max, Gehäusegröße 2020 (5050 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
3.3 µH
Nennstrom
3.1 A
DC-Widerstand (DCR)
49mOhm Max
Abmessungen
0.197" L x 0.197" W (5.00mm x 5.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LMXHF5050WBT3R3NMR.

Induktivität
3.3 µH

LMXHF5050WBT3R3NMR hat eine Induktivität von 3.3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
3.1 A

LMXHF5050WBT3R3NMR ist für 3.1 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
49mOhm Max

LMXHF5050WBT3R3NMR hat einen DC-Widerstand von 49mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2020 (5050 Metric)

LMXHF5050WBT3R3NMR verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2020 (5050 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität3.3 µH
Toleranz±30%
Nennstrom3.1 A
DC-Widerstand (DCR)49mOhm Max
Sättigungsstrom2.5A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.197" L x 0.197" W (5.00mm x 5.00mm)
Gehäuse / Größe2020 (5050 Metric)
Gehäuse / Ausführung2020 (5050 Metric)
LieferantTaiyo Yuden
BeschreibungFIXED IND 3.3UH 3.1A 49 MOHM SMD
SerieLMXH
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungSemi-Shielded
Eigenresonanzfrequenz55MHz
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse2020
Höhe - sitzend (max.)0.087" (2.20mm)

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