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BSCH0006030368NJ00

BSCH0006030368NJ00

Pulse Electronics

0201 (0603 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil BSCH0006030368NJ00 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 68 nH, Nennstrom 80 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 2.66Ohm Max, Gehäusegröße 0201 (0603 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
68 nH
Nennstrom
80 mA
DC-Widerstand (DCR)
2.66Ohm Max
Abmessungen
0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BSCH0006030368NJ00.

Induktivität
68 nH

BSCH0006030368NJ00 hat eine Induktivität von 68 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
80 mA

BSCH0006030368NJ00 ist für 80 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
2.66Ohm Max

BSCH0006030368NJ00 hat einen DC-Widerstand von 2.66Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0201 (0603 Metric)

BSCH0006030368NJ00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0201 (0603 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität68 nH
Toleranz±5%
Nennstrom80 mA
DC-Widerstand (DCR)2.66Ohm Max
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm)
Gehäuse / Größe0201 (0603 Metric)
Gehäuse / Ausführung0201 (0603 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 68NH 80MA 2.66 OHM SMD
SerieBSCH
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz4 @ 100MHz
Eigenresonanzfrequenz1.1GHz
Induktivitäts-Testfrequenz100 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0201
Höhe - sitzend (max.)0.013" (0.33mm)

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