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BSCH00100505R12JCS

BSCH00100505R12JCS

Pulse Electronics

0402 (1005 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil BSCH00100505R12JCS von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 120 nH, Nennstrom 100 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 2.2Ohm Max, Gehäusegröße 0402 (1005 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
120 nH
Nennstrom
100 mA
DC-Widerstand (DCR)
2.2Ohm Max
Abmessungen
0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BSCH00100505R12JCS.

Induktivität
120 nH

BSCH00100505R12JCS hat eine Induktivität von 120 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
100 mA

BSCH00100505R12JCS ist für 100 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
2.2Ohm Max

BSCH00100505R12JCS hat einen DC-Widerstand von 2.2Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0402 (1005 Metric)

BSCH00100505R12JCS verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402 (1005 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität120 nH
Toleranz±5%
Nennstrom100 mA
DC-Widerstand (DCR)2.2Ohm Max
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)
Gehäuse / Größe0402 (1005 Metric)
Gehäuse / Ausführung0402 (1005 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 120NH 100MA 2.2 OHM
SerieBSCH
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz8 @ 100MHz
Eigenresonanzfrequenz800MHz
Induktivitäts-Testfrequenz100 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0402
Höhe - sitzend (max.)0.024" (0.60mm)

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