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BSCQ000603031N2B00

BSCQ000603031N2B00

Pulse Electronics

0201 (0603 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 1.2NH 800MA 80 MOHM

Technische Daten

Induktivität
1.2 nH
Nennstrom
800 mA
DC-Widerstand (DCR)
80mOhm Max
Abmessungen
0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BSCQ000603031N2B00.

Induktivität
1.2 nH

BSCQ000603031N2B00 hat eine Induktivität von 1.2 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
800 mA

BSCQ000603031N2B00 ist für 800 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
80mOhm Max

BSCQ000603031N2B00 hat einen DC-Widerstand von 80mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0201 (0603 Metric)

BSCQ000603031N2B00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0201 (0603 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität1.2 nH
Toleranz±0.1nH
Nennstrom800 mA
DC-Widerstand (DCR)80mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm)
Gehäuse / Größe0201 (0603 Metric)
Gehäuse / Ausführung0201 (0603 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 1.2NH 800MA 80 MOHM
SerieBSCQ
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz14 @ 500MHz
Eigenresonanzfrequenz10GHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz500 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0201
Höhe - sitzend (max.)0.013" (0.33mm)
Merkmale-

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