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BSPQ000603040N8B00

BSPQ000603040N8B00

Pulse Electronics

0201 (0603 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil BSPQ000603040N8B00 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 0.8 nH, Nennstrom 1.1 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 40mOhm Max, Gehäusegröße 0201 (0603 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
0.8 nH
Nennstrom
1.1 A
DC-Widerstand (DCR)
40mOhm Max
Abmessungen
0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BSPQ000603040N8B00.

Induktivität
0.8 nH

BSPQ000603040N8B00 hat eine Induktivität von 0.8 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.1 A

BSPQ000603040N8B00 ist für 1.1 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
40mOhm Max

BSPQ000603040N8B00 hat einen DC-Widerstand von 40mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0201 (0603 Metric)

BSPQ000603040N8B00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0201 (0603 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität0.8 nH
Toleranz±0.1nH
Nennstrom1.1 A
DC-Widerstand (DCR)40mOhm Max
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm)
Gehäuse / Größe0201 (0603 Metric)
Gehäuse / Ausführung0201 (0603 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 0.8NH 1.1A 40 MOHM SMD
SerieBSPQ
ProduktstatusActive
Typ / AufbauThick Film
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz20 @ 500MHz
Eigenresonanzfrequenz18GHz
Induktivitäts-Testfrequenz500 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0201
Höhe - sitzend (max.)0.017" (0.43mm)

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