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BWCS001610084N7J00

BWCS001610084N7J00

Pulse Electronics

0603 (1608 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil BWCS001610084N7J00 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 4.7 nH, Nennstrom 700 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 116mOhm Max, Gehäusegröße 0603 (1608 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
4.7 nH
Nennstrom
700 mA
DC-Widerstand (DCR)
116mOhm Max
Abmessungen
0.063" L x 0.040" W (1.60mm x 1.02mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BWCS001610084N7J00.

Induktivität
4.7 nH

BWCS001610084N7J00 hat eine Induktivität von 4.7 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
700 mA

BWCS001610084N7J00 ist für 700 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
116mOhm Max

BWCS001610084N7J00 hat einen DC-Widerstand von 116mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0603 (1608 Metric)

BWCS001610084N7J00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0603 (1608 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität4.7 nH
Toleranz±5%
Nennstrom700 mA
DC-Widerstand (DCR)116mOhm Max
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.063" L x 0.040" W (1.60mm x 1.02mm)
Gehäuse / Größe0603 (1608 Metric)
Gehäuse / Ausführung0603 (1608 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 4.7NH 700MA 116 MOHM
SerieBWCS
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz20 @ 250MHz
Eigenresonanzfrequenz5.8GHz
Induktivitäts-Testfrequenz250 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0603
Höhe - sitzend (max.)0.040" (1.02mm)

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