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MTF0603HW4R7KST

MTF0603HW4R7KST

Microgate Technology

0603 (1608 Metric)
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MTF0603HW4R7KST von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 4.7 nH, Nennstrom 500 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 970mOhm, Gehäusegröße 0603 (1608 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
4.7 nH
Nennstrom
500 mA
DC-Widerstand (DCR)
970mOhm
Abmessungen
0.063 L x 0.039 W (1.60mm x 1.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MTF0603HW4R7KST.

Induktivität
4.7 nH

MTF0603HW4R7KST hat eine Induktivität von 4.7 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
500 mA

MTF0603HW4R7KST ist für 500 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
970mOhm

MTF0603HW4R7KST hat einen DC-Widerstand von 970mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0603 (1608 Metric)

MTF0603HW4R7KST verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0603 (1608 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.8.2026
Induktivität4.7 nH
Toleranz±10%
Nennstrom500 mA
DC-Widerstand (DCR)970mOhm
Sättigungsstrom550mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.063 L x 0.039 W (1.60mm x 1.00mm)
Gehäuse / Größe0603 (1608 Metric)
Gehäuse / Ausführung0603 (1608 Metric)
LieferantMicrogate Technology
BeschreibungFIXED IND 4700 NH 500 MA 0.97 OH
SerieMTF0603HW
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz16 @ 7.9MHz
Eigenresonanzfrequenz51MHz
Induktivitäts-Testfrequenz7.9 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0603
Höhe - sitzend (max.)0.039 (1.00mm)

Vorschau