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BWLD00302522R90K00

BWLD00302522R90K00

Pulse Electronics

1210 (3225 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil BWLD00302522R90K00 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 900 nH, Nennstrom 1.3 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 100mOhm Max, Gehäusegröße 1210 (3225 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
900 nH
Nennstrom
1.3 A
DC-Widerstand (DCR)
100mOhm Max
Abmessungen
0.118" L x 0.098" W (2.99mm x 2.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BWLD00302522R90K00.

Induktivität
900 nH

BWLD00302522R90K00 hat eine Induktivität von 900 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.3 A

BWLD00302522R90K00 ist für 1.3 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
100mOhm Max

BWLD00302522R90K00 hat einen DC-Widerstand von 100mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1210 (3225 Metric)

BWLD00302522R90K00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 18.6.2026
Induktivität900 nH
Toleranz±10%
Nennstrom1.3 A
DC-Widerstand (DCR)100mOhm Max
Sättigungsstrom1.4A
Betriebstemperatur-25°C ~ 105°C
Abmessungen0.118" L x 0.098" W (2.99mm x 2.50mm)
Gehäuse / Größe1210 (3225 Metric)
Gehäuse / Ausführung1210 (3225 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 900NH 1.3A 100 MOHM
SerieBWLD
ProduktstatusObsolete
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz25 @ 2.5MHz
Eigenresonanzfrequenz300MHz
Induktivitäts-Testfrequenz2.5 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1210
Höhe - sitzend (max.)0.087" (2.20mm)

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