Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil BWLM00181009R21J00 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 210 nH, Nennstrom 800 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 150mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BWLM00181009R21J00.
BWLM00181009R21J00 hat eine Induktivität von 210 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
BWLM00181009R21J00 ist für 800 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
BWLM00181009R21J00 hat einen DC-Widerstand von 150mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
BWLM00181009R21J00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 210 nH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 800 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 150mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.071" L x 0.039" W (1.80mm x 1.00mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Pulse Electronics |
| Beschreibung | FIXED IND 210NH 800MA 150 MOHM |
| Serie | BWLM |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Drum Core, Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 720MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.039" (1.00mm) |
