Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil BWLM00181009R65J00 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 650 nH, Nennstrom 430 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 520mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BWLM00181009R65J00.
BWLM00181009R65J00 hat eine Induktivität von 650 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
BWLM00181009R65J00 ist für 430 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
BWLM00181009R65J00 hat einen DC-Widerstand von 520mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
BWLM00181009R65J00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 650 nH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 430 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 520mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.071" L x 0.039" W (1.80mm x 1.00mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Pulse Electronics |
| Beschreibung | FIXED IND 650NH 430MA 520 MOHM |
| Serie | BWLM |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Drum Core, Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 510MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.039" (1.00mm) |
