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BWMR00252010100M00

BWMR00252010100M00

Pulse Electronics

1008 (2520 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil BWMR00252010100M00 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 10 µH, Nennstrom 800 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 500mOhm Max, Gehäusegröße 1008 (2520 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
10 µH
Nennstrom
800 mA
DC-Widerstand (DCR)
500mOhm Max
Abmessungen
0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BWMR00252010100M00.

Induktivität
10 µH

BWMR00252010100M00 hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
800 mA

BWMR00252010100M00 ist für 800 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
500mOhm Max

BWMR00252010100M00 hat einen DC-Widerstand von 500mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1008 (2520 Metric)

BWMR00252010100M00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität10 µH
Toleranz±20%
Nennstrom800 mA
DC-Widerstand (DCR)500mOhm Max
Sättigungsstrom900mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Gehäuse / Größe1008 (2520 Metric)
Gehäuse / Ausführung1008 (2520 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 10UH 800MA 500 MOHM
SerieBWMR
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialMetal
AbschirmungShielded
Eigenresonanzfrequenz12MHz
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1008
Höhe - sitzend (max.)0.039" (1.00mm)

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