Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil BWMR003027122R2M00 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2 µH, Nennstrom 2 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 114mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BWMR003027122R2M00.
BWMR003027122R2M00 hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
BWMR003027122R2M00 ist für 2 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
BWMR003027122R2M00 hat einen DC-Widerstand von 114mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
BWMR003027122R2M00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.2 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 2 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 114mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 3.3A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.118" L x 0.106" W (3.00mm x 2.70mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Pulse Electronics |
| Beschreibung | FIXED IND 2.2UH 2A 114 MOHM SMD |
| Serie | BWMR |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Drum Core, Wirewound |
| Kernmaterial | Metal |
| Abschirmung | Shielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 28MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.047" (1.20mm) |
