Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil BWVF00252012100M00 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 10 µH, Nennstrom 700 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 385mOhm, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BWVF00252012100M00.
BWVF00252012100M00 hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
BWVF00252012100M00 ist für 700 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
BWVF00252012100M00 hat einen DC-Widerstand von 385mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
BWVF00252012100M00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
Weitere Datasheet-Pfade erkunden
Gehen Sie von BWVF00252012100M00 weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 10 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 700 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 385mOhm |
| Sättigungsstrom | 880mA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Pulse Electronics |
| Beschreibung | FIXED IND 10UH 700MA 385 MOHM |
| Serie | BWVF |
| Produktstatus | Active |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Shielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.049" (1.25mm) |
