Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CI201210-2N2D von Bourns Inc.. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2 nH, Nennstrom 300 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 100mOhm Max, Gehäusegröße 0805 (2012 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CI201210-2N2D.
CI201210-2N2D hat eine Induktivität von 2.2 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CI201210-2N2D ist für 300 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CI201210-2N2D hat einen DC-Widerstand von 100mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
CI201210-2N2D verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.2 nH |
| Toleranz | ±0.3nH |
| Nennstrom | 300 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 100mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -25°C ~ 100°C |
| Abmessungen | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
| Gehäuse / Größe | 0805 (2012 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0805 (2012 Metric) |
| Lieferant | Bourns Inc. |
| Beschreibung | FIXED IND 2.2NH 300MA 100 MOHM |
| Serie | CI201210 |
| Produktstatus | Obsolete |
| Typ / Aufbau | Multilayer |
| Kernmaterial | Ceramic |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 10 @ 100MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 3.8GHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 0805 (2012 Metric) |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.047" (1.20mm) |
