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L08052R2BEWTR

L08052R2BEWTR

KYOCERA AVX

0805 (2012 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 2.2NH 1A 70 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
2.2 nH
Nennstrom
1 A
DC-Widerstand (DCR)
70mOhm Max
Abmessungen
0.083 L x 0.059 W (2.11mm x 1.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für L08052R2BEWTR.

Induktivität
2.2 nH

L08052R2BEWTR hat eine Induktivität von 2.2 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1 A

L08052R2BEWTR ist für 1 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
70mOhm Max

L08052R2BEWTR hat einen DC-Widerstand von 70mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0805 (2012 Metric)

L08052R2BEWTR verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 30.6.2026
Induktivität2.2 nH
Toleranz±0.1nH
Nennstrom1 A
DC-Widerstand (DCR)70mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.083 L x 0.059 W (2.11mm x 1.50mm)
Gehäuse / Größe0805 (2012 Metric)
Gehäuse / Ausführung0805 (2012 Metric)
LieferantKYOCERA AVX
BeschreibungFIXED IND 2.2NH 1A 70 MOHM SMD
SerieAccu-L®
ProduktstatusActive
Typ / AufbauThin Film
KernmaterialNon-Magnetic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz42 @ 450MHz
Eigenresonanzfrequenz10GHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz450 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0805 (2012 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.041 (1.04mm)
Merkmale-

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