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CL1008-2106JUL4T

CL1008-2106JUL4T

Knowles Voltronics

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CL1008-2106JUL4T von Knowles Voltronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 10 µH, Nennstrom 78 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 5.906 Ohm Max. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
10 µH
Nennstrom
78 mA
DC-Widerstand (DCR)
5.906 Ohm Max

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CL1008-2106JUL4T.

Induktivität
10 µH

CL1008-2106JUL4T hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
78 mA

CL1008-2106JUL4T ist für 78 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
5.906 Ohm Max

CL1008-2106JUL4T hat einen DC-Widerstand von 5.906 Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität10 µH
Nennstrom78 mA
DC-Widerstand (DCR)5.906 Ohm Max
LieferantKnowles Voltronics
Beschreibung1008 IND 10UH HIGH Q
ProduktstatusActive
Q bei Frequenz20 Min @ 7.9 MHz
Eigenresonanzfrequenz20 MHz Min

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