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CT622LYF-100J

CT622LYF-100J

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT622LYF-100J von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 10 µH, Nennstrom 3.0 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 40mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
10 µH
Nennstrom
3.0 A
DC-Widerstand (DCR)
40mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT622LYF-100J.

Induktivität
10 µH

CT622LYF-100J hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
3.0 A

CT622LYF-100J ist für 3.0 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
40mOhm

CT622LYF-100J hat einen DC-Widerstand von 40mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität10 µH
Toleranz±5%
Nennstrom3.0 A
DC-Widerstand (DCR)40mOhm
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 10UH 40 MOHM TH
Seriect622lyf
ProduktstatusActive
Q bei Frequenz50 Min @ 2.52 MHz
Eigenresonanzfrequenz14MHz
Induktivitäts-Testfrequenz2.52 MHz
MontageartThrough Hole

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