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CL1008-2124JUL4T

CL1008-2124JUL4T

Knowles Voltronics

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CL1008-2124JUL4T von Knowles Voltronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 120 nH, Nennstrom 1510 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 0.099 Ohm Max. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
120 nH
Nennstrom
1510 mA
DC-Widerstand (DCR)
0.099 Ohm Max

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CL1008-2124JUL4T.

Induktivität
120 nH

CL1008-2124JUL4T hat eine Induktivität von 120 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1510 mA

CL1008-2124JUL4T ist für 1510 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
0.099 Ohm Max

CL1008-2124JUL4T hat einen DC-Widerstand von 0.099 Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität120 nH
Nennstrom1510 mA
DC-Widerstand (DCR)0.099 Ohm Max
LieferantKnowles Voltronics
Beschreibung1008 IND 120NH HIGH Q
ProduktstatusActive
Q bei Frequenz60 Min @ 350 MHz
Eigenresonanzfrequenz900 MHz Min

Vorschau