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CT0603CSF-R11G

CT0603CSF-R11G

Central Technologies

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Beschreibung

FIXED IND 110NH 610 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
110 nH
Nennstrom
-
DC-Widerstand (DCR)
610mOhm
Abmessungen
-

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT0603CSF-R11G.

Induktivität
110 nH

CT0603CSF-R11G hat eine Induktivität von 110 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
-

CT0603CSF-R11G ist für - ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
610mOhm

CT0603CSF-R11G hat einen DC-Widerstand von 610mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
-

CT0603CSF-R11G verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von -. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität110 nH
Toleranz±2%
Nennstrom-
DC-Widerstand (DCR)610mOhm
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen-
Gehäuse / Größe-
Gehäuse / Ausführung-
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 110NH 610 MOHM SMD
Seriect0603csf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
Kernmaterial-
Abschirmung-
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz1.35GHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz-
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)-
Merkmale-

Vorschau