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CL1008-J105JAL4T

CL1008-J105JAL4T

Knowles Voltronics

1008 (2520 Metric)
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Beschreibung

1008 CER CORE IND 1.0UH HIGH Q

Technische Daten

Induktivität
1 µH
Nennstrom
120 mA
DC-Widerstand (DCR)
3.3Ohm Max
Abmessungen
0.102 L x 0.085 W (2.60mm x 2.15mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CL1008-J105JAL4T.

Induktivität
1 µH

CL1008-J105JAL4T hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
120 mA

CL1008-J105JAL4T ist für 120 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
3.3Ohm Max

CL1008-J105JAL4T hat einen DC-Widerstand von 3.3Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1008 (2520 Metric)

CL1008-J105JAL4T verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 10.7.2026
Induktivität1 µH
Toleranz±5%
Nennstrom120 mA
DC-Widerstand (DCR)3.3Ohm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.102 L x 0.085 W (2.60mm x 2.15mm)
Gehäuse / Größe1008 (2520 Metric)
Gehäuse / Ausführung1008 (2520 Metric)
LieferantKnowles Voltronics
Beschreibung1008 CER CORE IND 1.0UH HIGH Q
SerieA
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz35 @ 50MHz
Eigenresonanzfrequenz310MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz-
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1008
Höhe - sitzend (max.)0.079 (2.00mm)
Merkmale-

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