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CPI0805H1R2R-10

CPI0805H1R2R-10

Laird

0805 (2012 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 1.2UH 800MA 160 MOHM

Technische Daten

Induktivität
1.2 µH
Nennstrom
800 mA
DC-Widerstand (DCR)
160mOhm
Abmessungen
0.079 L x 0.049 W (2.00mm x 1.25mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CPI0805H1R2R-10.

Induktivität
1.2 µH

CPI0805H1R2R-10 hat eine Induktivität von 1.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
800 mA

CPI0805H1R2R-10 ist für 800 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
160mOhm

CPI0805H1R2R-10 hat einen DC-Widerstand von 160mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0805 (2012 Metric)

CPI0805H1R2R-10 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.7.2026
Induktivität1.2 µH
Toleranz±20%
Nennstrom800 mA
DC-Widerstand (DCR)160mOhm
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.079 L x 0.049 W (2.00mm x 1.25mm)
Gehäuse / Größe0805 (2012 Metric)
Gehäuse / Ausführung0805 (2012 Metric)
LieferantLaird
BeschreibungFIXED IND 1.2UH 800MA 160 MOHM
SerieCPI
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0805 (2012 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.039 (1.00mm)
Merkmale-

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