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CT0201F-1N5S

CT0201F-1N5S

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT0201F-1N5S von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1.5 nH, Nennstrom 430 mA Max, Gleichstromwiderstand (DCR) 130mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
1.5 nH
Nennstrom
430 mA Max
DC-Widerstand (DCR)
130mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT0201F-1N5S.

Induktivität
1.5 nH

CT0201F-1N5S hat eine Induktivität von 1.5 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
430 mA Max

CT0201F-1N5S ist für 430 mA Max ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
130mOhm

CT0201F-1N5S hat einen DC-Widerstand von 130mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität1.5 nH
Toleranz±0.3nH
Nennstrom430 mA Max
DC-Widerstand (DCR)130mOhm
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 1.5NH 130 MOHM SMD
Seriect0201f
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
MontageartSurface Mount

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