Beschreibung
FIXED IND 120NH 2.86A 30 MOHM TH
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTS4F-R12K.
CTS4F-R12K hat eine Induktivität von 120 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CTS4F-R12K ist für 2.86 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CTS4F-R12K hat einen DC-Widerstand von 30mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
CTS4F-R12K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 120 nH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 2.86 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 30mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 2.86A |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.160 Dia x 0.449 L (4.06mm x 11.40mm) |
| Gehäuse / Größe | Axial |
| Gehäuse / Ausführung | Axial |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 120NH 2.86A 30 MOHM TH |
| Serie | CTS4F |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Molded |
| Kernmaterial | - |
| Abschirmung | Shielded |
| Q bei Frequenz | 50 @ 25MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 400MHz |
| Zulassungen / Bewertungen | - |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 25 MHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | Axial |
| Höhe - sitzend (max.) | - |
| Merkmale | - |
