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CT0201F-33NJ

CT0201F-33NJ

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT0201F-33NJ von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 33 nH, Nennstrom 110 mA Max, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.47Ohm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
33 nH
Nennstrom
110 mA Max
DC-Widerstand (DCR)
1.47Ohm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT0201F-33NJ.

Induktivität
33 nH

CT0201F-33NJ hat eine Induktivität von 33 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
110 mA Max

CT0201F-33NJ ist für 110 mA Max ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.47Ohm

CT0201F-33NJ hat einen DC-Widerstand von 1.47Ohm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität33 nH
Toleranz±5%
Nennstrom110 mA Max
DC-Widerstand (DCR)1.47Ohm
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 33NH 1.47 OHM SMD
Seriect0201f
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
Eigenresonanzfrequenz1.7GHz
MontageartSurface Mount

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