Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT0201F-3N3S von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3.3 nH, Nennstrom 320 mA Max, Gleichstromwiderstand (DCR) 230mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT0201F-3N3S.
CT0201F-3N3S hat eine Induktivität von 3.3 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CT0201F-3N3S ist für 320 mA Max ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CT0201F-3N3S hat einen DC-Widerstand von 230mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 3.3 nH |
| Toleranz | ±0.3nH |
| Nennstrom | 320 mA Max |
| DC-Widerstand (DCR) | 230mOhm |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 3.3NH 230 MOHM SMD |
| Serie | ct0201f |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Multilayer |
| Eigenresonanzfrequenz | 6.7GHz |
| Montageart | Surface Mount |
