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CT0201LSF-6N8J

CT0201LSF-6N8J

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT0201LSF-6N8J von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 6.8 nH, Nennstrom 950 mA Typ, Gleichstromwiderstand (DCR) 110mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
6.8 nH
Nennstrom
950 mA Typ
DC-Widerstand (DCR)
110mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT0201LSF-6N8J.

Induktivität
6.8 nH

CT0201LSF-6N8J hat eine Induktivität von 6.8 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
950 mA Typ

CT0201LSF-6N8J ist für 950 mA Typ ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
110mOhm

CT0201LSF-6N8J hat einen DC-Widerstand von 110mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität6.8 nH
Toleranz±5%
Nennstrom950 mA Typ
DC-Widerstand (DCR)110mOhm
Betriebstemperatur-25°C ~ 105°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 6.8NH 110 MOHM SMD
Seriect0201lsf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
Eigenresonanzfrequenz2.4GHz
MontageartSurface Mount

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