Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT0201LSF-R20J von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 200 nH, Nennstrom 260 mA Typ, Gleichstromwiderstand (DCR) 950mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT0201LSF-R20J.
CT0201LSF-R20J hat eine Induktivität von 200 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CT0201LSF-R20J ist für 260 mA Typ ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CT0201LSF-R20J hat einen DC-Widerstand von 950mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 200 nH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 260 mA Typ |
| DC-Widerstand (DCR) | 950mOhm |
| Betriebstemperatur | -25°C ~ 105°C |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 200NH 950 MOHM SMD |
| Serie | ct0201lsf |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Eigenresonanzfrequenz | 1.4GHz |
| Montageart | Surface Mount |
